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IXFH15N100P IXFV15N100P
IXFV15N100PS
16
14
Fig. 7. Input Admittance
18
16
Fig. 8. Transconductance
12
T J = 125oC
25oC
14
10
- 40oC
12
10
T J = - 40oC
25oC
125oC
8
8
6
6
4
2
0
4
2
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
45
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
40
35
30
14
12
10
V DS = 500V
I D = 7.5A
I G = 10mA
25
8
20
T J = 125oC
6
15
10
5
0
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
20
40
60
80
100
120
140
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
Ciss
1,000
0.100
Coss
100
10
f = 1 MHz
Crss
0.010
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_15N100P(76)4-1-08-A
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